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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM120N06LCS RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TSM120N06LCS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM120N06LCS RLG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM120N06LCS RLG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
TSM120N06LCS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34625

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Spezifikation

TSM120N06LCS RLG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM120N06LCS RLG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM120N06LCS RLG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 12.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2193 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  
Grundproduktnummer TSM120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS RLG.

Produkteigenschaften TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCS TSM126CX RFG
Artikelnummer TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCS TSM126CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 0V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 36.5 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 1.18 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 800Ohm @ 16mA, 10V
Grundproduktnummer TSM120 TSM120 TSM120 TSM126
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 600 V
FET-Merkmal - - - Depletion Mode
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2193 pF @ 30 V 2116 pF @ 30 V 2193 pF @ 30 V 51.42 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-PDFN (5x6) 8-SOP SOT-23
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 12.5W (Tc) 69W (Tc) 2.2W (Ta), 12.5W (Tc) 500mW (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 54A (Tc) 10A (Ta), 23A (Tc) 30mA (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 8µA

TSM120N06LCS RLG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM120N06LCS RLG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM120N06LCS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM120N06LCS.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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